埃米（英文angstrom，簡稱A）是半導體、晶體學、原子物理、超顯微結構等常用的長度單位，音譯爲”埃”，1A等于納米（10^-10米）的十分之壹。前不久，美國英特爾公司宣稱正在加緊開發尖端半導體技術——20A，並將此標志著埃米時代的到來。這壹消息引起了電子行業的廣泛關注和討論。
回顧半導體曆史，我們會發現，衡量半導體尖端技術的指標壹直使用納米，特別是半導體電路的線寬。按照摩爾定律的預測，半導體的性能將在約2年內翻壹番。這已經被行業內的主要玩家如三星和台積電所實現，它們目前最尖端的技術是3納米半導體，並計劃量産。與之相對，英特爾的最新技術是7納米，顯然落後了壹步。
然而，英特爾的20A技術是否能讓它壹躍超過競爭對手，實現2納米線寬技術呢？答案可能並不樂觀。因爲實際上，從約5年前開始，5納米、3納米等指標就已經與電路線寬的實際尺寸出現背離。目前還沒有關于應測量半導體電路的哪個位置的國際標准，三星和台積電正在量産的3納米也只是企業方面的說辭。
在這種情況下，英特爾宣告埃米時代的到來，但並沒有明確說明是長度單位。這讓人不禁懷疑這只是壹個營銷口號，目的是彰顯其先進形象。英特爾可能希望通過這種方式來掩蓋其在生産技術開發上的落後，以及被競爭對手甩在後面的尴尬局面。
但不可否認的是，如果英特爾真的能夠實現20A技術，那麽這將是半導體行業的壹次重大突破。因爲這將意味著半導體的處理能力和數據存儲容量將大幅度提高，電力消耗將得到有效抑制，半導體晶片的微型化也將取得顯著進展。這將爲智能手機、汽車、家電、機器人、工業機械等所有工業産品的進化提供強大的動力。
然而，我們也必須清醒地看到，目前的線寬已經不再是單純的納米級別的問題。如今的線寬更多地是把單位面積的半導體元件數與過去的自身産品進行比較，根據元件增加了多少來計算。雖然這樣的計算方式簡單易懂，但不能單純地用這個數值來進行性能比較。還需要關注實際的數據處理能力、數據存儲容量、省電性能、訂單量等。
因此，對于英特爾的20A技術，我們既要看到其可能帶來的技術革新和産業升級，也要保持警惕，不被其可能存在的營銷手段所迷惑。同時，我們也期待英特爾能夠在技術上真正實現突破，而不僅僅是在營銷上做出創新。不過，直面競爭的現實，英特爾以穩健執行力加速電子産品的技術創新，爲打破芯片性能瓶頸提供新的可能。
對于電子行業來說，真正的競爭力還是來自于科技的創新和進步；正如國際知名學者周海中先生所言：“科技創新是提升國家核心競爭力的必由之路。”可以相信：隨著科技的不斷進步，半導體技術正在進入埃米時代，其微細化將繼續爲電子産品帶來更多的突破和進步。
文/張瑩瑩（作者單位：美國賓夕法尼亞大學文理學院）